第510章 无法跳跃的光刻机迭代

这才真正标志着半导体制造技术实现了历史上的第一次飞跃。它们采用了g-line光源，波长为436nm，这一技术革新使得0.8至0.35微米制程的芯片生产成为可能。对应的设备就是第一代现代化接触式和接近式光刻机，为486及以后新型cpu的制造开辟了新的天地。

在早期的cpu制造工艺中，1微米工艺最多就能支撑386级别cpu的生产，而0.8微米制程的成熟，才标志着486时代的到来。若要进一步跨越到586奔腾级别的cpu，制程必须进化至0.35微米，这无疑是半导体制造领域的一次巨大挑战。

然而，就当前亮剑世界中的东大cpu光刻机技术发展而言，它们还远远没有触及现代化光刻机的门槛。

2微米制程，在任重眼中，不过是史前时代的遗物。未来的道路，还有整整四代不同光源光刻机技术的难关等待攻克，每一步都充满了未知与挑战。

第二代光刻机，以i-line为光源，波长缩短至365nm，技术上的进步使得0.8至0.25微米制程的芯片生产得以实现。这一制程水平，在主世界中，对应着奔腾iii cpu的辉煌时代。奔腾iii，作为英特尔公司的一款经典产品，不仅在性能上实现了显著提升，更在半导体制造工艺上树立了新的标杆。

紧接着，第三代光刻机采用了krf光源，波长进一步缩短至248nm，工艺节点提升至180至130nm水平。这一技术革新，为第一代和第二代奔腾4的生产提供了有力支持。180nm制程工艺的第一代奔腾4 willamette，以及随后一年采用130nm制程工艺的第二代奔腾4处理器northwood，都是这一技术进步的产物。它们不仅提升了cpu的性能，更推动了整个半导体制造业的发展。

而第四代光刻机，则是光刻技术发展历程中的一个极为重要里程碑。arf（duv）光源的引入，使得波长缩短至193nm，并通过技术创新将实际波长利用率提升至134nm，这个技术就是著名的浸润式光刻技术，它使arf光刻水平进一步提高：通过投影物镜下方和晶圆间充满水，由于

本章未完，请点击下一页继续阅读！ 第3页 / 共5页